Pierre Boulenc
Pierre Boulenc werd geboren in Grenoble (Frankrijk) op 20 september 1978. Hij behaalde een master in solid-state fysica aan de "Université Paris VII" (2003) en een doctoraat in de materiaalwetenschappen aan de "Université des Sciences et Technologies de Lille" (2007) in Frankrijk. Van 2006 tot 2013 was hij verantwoordelijk voor TCAD-simulaties in het kader van CMOS Image Sensors, bipolaire transistors, proces- en device modelleringskalibratie bij STMicroelectronics Crolles (Frankrijk). In 2013 vervoegde Pierre imec in Leuven (België) als R&D-ingenieur. Zijn werk was gericht op CCD-in-CMOS pixelontwerp en testing en de verkenning van nieuwe pixelarchitecturen door middel van TCAD-simulaties. Hij leidt nu het Pixel Devices team bij Imec.

Auteurartikelen
Ze zien, ze zien wat jij niet ziet: smartphones en zelfrijdende voertuigen
Imec ontwikkelde een oplossing om silicium-gebaseerde CMOS-beeldsensoren te laten ‘zien’ in het kortegolf-infraroodspectrum (short-wave infrared; SWIR): golflengtes waar ze normaal gezien vanwege hun optische eigenschappen ongevoelig voor zijn. Hierdoor kunnen smartphones en andere kleine camera’s straks verder en ook in suboptimale lichtcondities objecten detecteren. Dit maakt belangrijke prestatieverbeteringen mogelijk voor domeinen als augmented reality, computervisie en zelfrijdende voertuigen.
Lees meer